F\u00fcnfzehn Meter horizontale Linie f\u00fcr die vollautomatische Beseitigung aller Verunreinigungen in L\u00f6chern, zur Herstellung einer perfekten Leitf\u00e4higkeit. Ein Verfahren, das die Ablagerung des Kupferelektrolytikums in den L\u00f6chern dank der 30%igen Erh\u00f6hung der Streugeschwindigkeit des galvanischen Kupfers verbessert. Ein Prozess, der eine perfekte Durchkontaktierung sicherstellt.<\/p>\n
W\u00e4hrend des Bohrens in die dielektrischen Materialien erzeugt die hohe Temperatur, die von den Werkzeugen erreicht wird, einen Harzr\u00fcckstand an den Lochw\u00e4nden (Smear). Der erste Teil der neuen Linie entfernt diesen R\u00fcckstand. So gibt es innerhalb der Linie ein homogenes chemisches Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen an der Lochwand (Desmear). Der zweite Teil der Linie legt mittels eines Hochdruckprozesses eine d\u00fcnne Graphitschicht (vormetallisierender Schatten) an den gerade behandelten Lochw\u00e4nden ab.<\/p>\n
Die Linie erm\u00f6glicht die Behandlung der meisten Arten von Leiterplatten (starr, semi-flexibel, HDI) mit verschiedensten Grundmaterialien (Standard FR4, mittlerer und hoher TG, hohe KTI, Hochfrequenz, etc). Sie bringt h\u00f6chste Produktivit\u00e4t und au\u00dferdem zwei au\u00dfergew\u00f6hnliche Vorteile f\u00fcr jede Art von Bohrung im Vergleich zu anderen Metallprozessen:<\/p>\n
\u2022 Perfekt gleichm\u00e4\u00dfige Endmetallisierung von Mikro- und Blindvias, da das Verfahren eine h\u00f6here Streugeschwindigkeit f\u00fcr das Kupfer gew\u00e4hrleistet, das anschlie\u00dfend galvanisch behandelt wird.<\/p>\n
\u2022 Erh\u00f6hte Zuverl\u00e4ssigkeit der mehrlagigen elektrischen Verbindungen: Die reduzierte Graphitablagerung erfordert einen kleineren Mikroschnitt (weniger als 4 Mikrometer) und damit eine geringere R\u00fcckstellung der Zwischenmetallschichten in den Multilayerverbindungen.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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