Eine neue Linie für eine perfekte Metallisierung von Mikro- und Blindvias

Fünfzehn Meter horizontale Linie für die vollautomatische Beseitigung aller Verunreinigungen in Löchern, zur Herstellung einer perfekten Leitfähigkeit. Ein Verfahren, das die Ablagerung des Kupferelektrolytikums in den Löchern dank der 30%igen Erhöhung der Streugeschwindigkeit des galvanischen Kupfers verbessert. Ein Prozess, der eine perfekte Durchkontaktierung sicherstellt.

Während des Bohrens in die dielektrischen Materialien erzeugt die hohe Temperatur, die von den Werkzeugen erreicht wird, einen Harzrückstand an den Lochwänden (Smear). Der erste Teil der neuen Linie entfernt diesen Rückstand. So gibt es innerhalb der Linie ein homogenes chemisches Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen an der Lochwand (Desmear). Der zweite Teil der Linie legt mittels eines Hochdruckprozesses eine dünne Graphitschicht (vormetallisierender Schatten) an den gerade behandelten Lochwänden ab.

Die Linie ermöglicht die Behandlung der meisten Arten von Leiterplatten (starr, semi-flexibel, HDI) mit verschiedensten Grundmaterialien (Standard FR4, mittlerer und hoher TG, hohe KTI, Hochfrequenz, etc). Sie bringt höchste Produktivität und außerdem zwei außergewöhnliche Vorteile für jede Art von Bohrung im Vergleich zu anderen Metallprozessen:

• Perfekt gleichmäßige Endmetallisierung von Mikro- und Blindvias, da das Verfahren eine höhere Streugeschwindigkeit für das Kupfer gewährleistet, das anschließend galvanisch behandelt wird.

• Erhöhte Zuverlässigkeit der mehrlagigen elektrischen Verbindungen: Die reduzierte Graphitablagerung erfordert einen kleineren Mikroschnitt (weniger als 4 Mikrometer) und damit eine geringere Rückstellung der Zwischenmetallschichten in den Multilayerverbindungen.